电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5249B-B

产品描述Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商Rectron
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

1N5249B-B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5249B-B - - 点击查看 点击购买

1N5249B-B概述

Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5249B-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压19 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流6.6 mA
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
RECTRON
1N5223B
THRU
1N5264B
500mW 5% DO-35 ZENER DIODE
Absolute Maximun Ratings (Ta=25
o
C)
Items
Power Dissipation
Power Derating
above 75°C
Forward Voltage
@If = 10 mA
Vz Tolerence
Junction Temp.
Storage Temp.
Vf
Symbol
P
TOT
Ratings
500
4
1.2
5
T
J
T
STG
-65 to 175
-65 to 175
Unit
mW
K/mW
1.02 (26.0)
MAX
0.020 (0.52)
TYP
Dimensions
mi n i -MEL F
V
%
°C
°C
.165 (4.2)
MAX
Mechanical Data
Items
Package
Case
Lead Finish
Chip
Materials
DO-35
Hermetically sealed glass
Double Stud/Solder Plating
Glass Passivated
.079 (2.0)
MAX
1.02 (26.0)
MAX
Dimensions in inches (millimeters)
Electrical Characteristics (Ta=25
o
C)
Type
ZENER
VOLTAGE
V
Z
(V)
1N5223
1N5224
1N5225
1N5226
1N5227
1N5228
1N5229
1N5230
1N5231
1N5232
1N5233
1N5234
1N5235
1N5236
1N5237
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
Max ZENER Max ZENER
IMPEDANCE IMPEDANCE
I
ZT
(m)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
R
Z
(
)
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
Max ZENER
IMPEDANCE
I
ZT
= 0.25mA
R
Z
(
)
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
Max REVERSE
CURRENT
V
R
(V)
0.95
0.95
0.95
0.95
0.95
0.95
0.95
1.9
1.9
2.9
3.3
3.8
4.8
5.7
6.2
I
R
(
µ
A)
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
TEMP.COEFF.
dvz (% / °C)
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
+0.055
+0.030
+0.030
+0.038
+0.038
+0.045
+0.050
+0.058
+0.062
www.rectron.com
求助,多路光电二极管的信号复用直接用模拟开关可以吗?
项目上面用到了光电信号转换这块的电路,用的滨松的光电二极管作为传感器,连接到跨阻放大电路的输入端(两级的放大电路)。但是考虑到器件成本问题,多路光电二极管准备采用分时复用的方法。不 ......
季yy 模拟电子
将ChibiOS/RT v16.1.x移植到stm32f030f4p6开发板上
闲来无事,就将最新版本的ChibiOS/RT实时系统移植到了STM32F030F4开发板上: 开发板资源: - 3.3v供电 - 外接8MHz的晶振作为STM32F030F4的HSE - PA9 接有一个蓝色的LED 看这论坛上貌 ......
phope2000 stm32/stm8
linux下中断处理问题
现有一外部中断,中断来临后要求驱动马上读取数据,现在问题是:中断来临后,怎么通知用户主动读取数据,现在我用的是使用了中断上下部,下部处理中断,一产生中断马上进入上半部分处理接收, ......
gogobox Linux开发
电池组的主动和被动电池平衡
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2019-11-17 21:40 编辑 多单元电池通常构建为串联或并联电池阵列。 串联电池过多将导致较高的电池组电压,而并联电池过多将导致较高的总电池容量(表示为 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
电接点双金属温度计维护与检修
1.安装前须仔细核对型号及规格,指示指针不得偏出零位标记的黑框,否则应重新校验或更换。 硅橡胶电缆 2、仪表应安装于周围环境(或介质)温度-40~ 55℃,相对湿度不大于85%,振动或被测压力的 ......
eeleader-mcu 工业自动化与控制
【R7F0C809】瑞萨开发板编译器搭建
Renesas Electronics CubeSuite+是瑞萨推出的开发环境。V2.0和V2.02两个版本对新的芯片(如:R7F0C809)却不支持,需要自己手动去添加。 最早以前在论坛发过如何让你的(Cube Suite+)支持R7F0C8 ......
ltbytyn 瑞萨MCU/MPU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 97  2057  12  1714  2798  36  19  49  41  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved