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2SK3818

产品描述Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK3818概述

Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMP, 3 PIN

2SK3818规格参数

参数名称属性值
Objectid2064451660
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)410 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)74 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)296 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Ordering number : ENN8056
2SK3818
2SK3818
Features
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Low ON-resistance.
Ultrahigh-speed switching.
4V drive.
Motor drive, DC / DC converter.
Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Enargy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW≤10µs, duty cycle≤1%
Tc=25°C
Conditions
Ratings
60
±20
74
296
1.65
75
150
--55 to +150
410
74
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
Note :
*1
VDD=20V, L=100µH, IAV=74A
*2
L≤100µH, single pulse
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Conditions
ID=1mA, VGS=0
VDS=60V, VGS=0
VGS=
±16V,
VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=37A
ID=37A, VGS=10V
ID=37A, VGS=4V
Ratings
min
60
1
±10
1.2
27
45
10
13
13
18
2.6
typ
max
Unit
V
µ
A
µ
A
V
S
mΩ
mΩ
Marking : K3818
Continued on next page.
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
D2404QA TS IM TB-00000613 No.8056-1/4
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