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HUF75307D3ST

产品描述13A, 55V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别晶体管   
文件大小204KB,共18页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF75307D3ST概述

13A, 55V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

HUF75307D3ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)60 ns
Base Number Matches1

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