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5962-9315501HYA

产品描述EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS,
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制造商White Microelectronics
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5962-9315501HYA概述

EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS,

5962-9315501HYA规格参数

参数名称属性值
厂商名称White Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
长度40.64 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
DESCRIPTION
Added case outline Y. Redrew entire document..
Update drawing to the current requirements of MIL-PRF-38534.
DATE (YR-MO-DA)
97-01-14
05-08-08
APPROVED
K. Cottongim
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
B
15
B
16
REV
SHEET
PREPARED BY
Steve Duncan
CHECKED BY
Michael Jones
B
1
B
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3
B
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B
5
B
6
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B
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B
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B
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B
11
B
12
B
13
B
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
POST OFFICE BOX 3990
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
APPROVED BY
Kendall A. Cottongim
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, 256K X
8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE
PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY
DRAWING APPROVAL DATE
93-03-26
REVISION LEVEL
B
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
16
5962-93155
5962-E436-05
DSCC FORM 2233
APR 97

5962-9315501HYA相似产品对比

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描述 EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, Array/Network Resistor, Bussed, Thin Film, 0.1W, 22.6ohm, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 5030, EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS,
Reach Compliance Code unknown compliant unknown unknown unknown unknown
端子数量 32 20 32 32 32 32
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形式 IN-LINE SMT IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
技术 CMOS THIN FILM CMOS CMOS CMOS CMOS
厂商名称 White Microelectronics - White Microelectronics White Microelectronics White Microelectronics White Microelectronics
最长访问时间 200 ns - 150 ns 200 ns 150 ns 150 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T32 - R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32
JESD-609代码 e0 e3 - e4 e0 e4
长度 40.64 mm - 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm 40.64 mm
内存密度 2097152 bit - 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 EEPROM MODULE - EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE
内存宽度 8 - 8 8 8 8
功能数量 1 - 1 1 1 1
字数 262144 words - 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 - 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 256KX8 - 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP - DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO
温度等级 MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD Matte Tin (Sn) - GOLD TIN LEAD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm - 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms - 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1
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