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CPH5855

产品描述MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共6页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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CPH5855概述

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

CPH5855规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻0.093 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量1
端子数量5
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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