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7MBR100SB060

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
产品类别晶体管   
文件大小570KB,共7页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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7MBR100SB060概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

7MBR100SB060规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X24
元件数量7
端子数量24
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)400 ns
标称接通时间 (ton)450 ns
VCEsat-Max2.6 V
Base Number Matches1

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