MPLAD15KP110CATR,MPLAD15KP110CATR pdf中文资料,MPLAD15KP110CATR引脚图,MPLAD15KP110CATR电路-Datasheet-电子工程世界

MPLAD15KP110CATR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-1; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小291KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MPLAD15KP110CATR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-1

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	R-PSSO-G1
针数	1
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	135 V
最小击穿电压	122 V
击穿电压标称值	128.5 V
外壳连接	CATHODE
最大钳位电压	177 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PSSO-G1
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	15000 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	2.5 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	110 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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