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5962F9562601VXX: 产品描述8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28; 产品类别存储; 文件大小134KB，共5页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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5962F9562601VXX概述

8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

5962F9562601VXX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	5.92 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	300k Rad(Si) V
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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HS-6664RH

Data Sheet

August 2000

File Number

3197.4

Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM

The Intersil HS-6664RH is a radiation hardened 64K CMOS

PROM, organized in an 8K word by 8-bit format. The chip is

manufactured using a radiation hardened CMOS process,

and utilizes synchronous circuit design techniques to

achieve high speed performance with very low power

dissipation.

On-chip address latches are provided, allowing easy

interfacing with microprocessors that use a multiplexed

address/data bus structure. The output enable control (G)

simpliﬁes system interfacing by allowing output data bus

control in addition to the chip enable control (E). All bits are

manufactured storing a logical “0” and can be selectively

programmed for a logical “1” at any bit location.

Applications for the HS-6664RH CMOS PROM include low

power microprocessor based instrumentation and

communications systems, remote data acquisition and

processing systems, and processor control storage.

Speciﬁcations for Rad Hard QML devices are controlled

by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The

SMD numbers listed here must be used when ordering.

Detailed Electrical Speciﬁcations for these devices are

contained in SMD 5962-95626. A “hot-link” is provided

on our homepage for downloading.

www.intersil.com/spacedefense/space.htm

Features

• Electrically Screened to SMD # 5962-95626

• QML Qualiﬁed per MIL-PRF-38535 Requirements

• 1.2 Micron Radiation Hardened Bulk CMOS

• Total Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 krad(Si) (Max)

• Transient Output Upset. . . . . . . . . . . . . .>5 x 10

rad(Si)/s

• LET >100 MEV-cm

/mg

• Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35ns (Typ)

• Single 5V Power Supply

• Single Pulse 10V Field Programmable

• Synchronous Operation

• On-Chip Address Latches

• Three-State Outputs

• NiCr Fuses

• Low Standby Current . . . . . . . . . . . . . . <500µA (Pre-Rad)

• Low Operating Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . <15mA/MHz

• Military Temperature Range . . . . . . . . . . . -55

C to 125

Ordering Information

ORDERING NUMBER

5962F9562601QXC

5962F9562601QYC

5962F9562601VXC

5962F9562601VYC

HS1-6664RH/PROTO

HS9-6664RH/PROTO

INTERNAL

MKT. NUMBER

HS1-6664RH-8

HS9-6664RH-8

HS1-6664RH-Q

HS9-6664RH-Q

HS1-6664RH/PROTO

HS9-6664RH/PROTO

TEMP. RANGE

(

-55 to 125

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 321-724-7143

Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation.

5962F9562601VXX相似产品对比

	5962F9562601VXX	5962F9562601VYX	5962F9562601QXX	5962F9562601QYX
描述	8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28	8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28
零件包装代码	DIP	DFP	DIP	DFP
包装说明	DIP,	DFP,	DIP,	DFP,
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-30 代码	R-CDIP-T28	R-CDFP-F28	R-CDIP-T28	R-CDFP-F28
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DFP	DIP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	5.92 mm	2.92 mm	5.92 mm	2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V
宽度	15.24 mm	12.445 mm	15.24 mm	12.445 mm
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Base Number Matches	1	1	1	-

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