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70V7519S166BFG: 产品描述Dual-Port SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小744KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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70V7519S166BFG概述

Dual-Port SRAM

70V7519S166BFG规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA,
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	3.6 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	208
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

70V7519S166BFG相似产品对比

	70V7519S166BFG	70V7519S133DRG	70V7519S133DRG8	70V7519S166BFG8
描述	Dual-Port SRAM	Dual-Port SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208	Dual-Port SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208	Dual-Port SRAM
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA,	QFP,	QFP,	BGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	3.6 ns	4.2 ns	4.2 ns	3.6 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	S-PQFP-G208	S-PQFP-G208	S-PBGA-B208
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	208	208	208	208
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	256KX36	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	QFP	QFP	BGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK	FLATPACK	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL
端子位置	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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