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5KP10C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
产品类别二极管   
文件大小31KB,共4页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准  
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5KP10C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN

5KP10C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压13.6 V
最小击穿电压11.1 V
击穿电压标称值12.35 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压18.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
TVS
5KP
SERIES
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
5000 WATT PEAK POWER 8.0 WATTS STEADY STATE
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Plastic package has underwriters laboratory
Glass passivated chip construction
5000 watt surage capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time
R-6
1.0 (25.4)
MIN.
.052 (1.3)
DIA.
.048 (1.2)
.360 (9.1)
.340 (8.6)
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
.360 (9.1)
.340 (8.6)
1.0 (25.4)
MIN.
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA suffix for types 5KP5.0 thru 5KP110
Electrical characteristics apply in both direction
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
RATINGS
Peak Pulse Power Dissipation with a 10/1000uS
waveform (Note 1, FIG.1)
Peak Pulse Current with a 10/1000uS waveform (Note 1, Fig. 3)
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75 C lead lengths
0.375” (9.5mm) (Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-
superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) (Note 3)
Instantaneous Forward Voltage at 100A, (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
o
o
o
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
J
, T
STG
VALUE
Minimum 5000
SEE TABLE 1
8.0
400
3.5
-55 to + 150
UNITS
Watts
Amps
Watts
Amps
Volts
0
C
2002-12
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25 C per Fig.2.
2. Mounted on copper pad area of 0.8 X 0.8” ( 20 X 20mm ) per Fig. 5
3. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
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