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1N4154T50A

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小128KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N4154T50A概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35

1N4154T50A规格参数

参数名称属性值
包装说明GLASS, DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FAST SWITCHES
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N4154
General Description:
The high breakdown voltage, fast switching speed and high
forward conductance of this diode packaged in a DO-35
miniature Glass Axial leaded package makes it desirable also
as a general purpose diode.
Features:
DISCRETE POWER AND SIGNAL
TECHNOLOGIES
500 milliwatt Power Dissipation package.
Fast Switching Speed,
Typical capacitance less than 1.0 picofarad.
Ordering:
13 inch reel, 50 mm (T50R) & 26 mm (T26R) Tape;
10,000 units per reel.
High Conductance
Fast Diode
Absolute Maximum Ratings*
Sym
T
stg
T
J
P
D
R
OJA
W
iv
I
O
I
F
i
f
i
F(surge)
TA = 25
O
C unless otherwise noted
Parameter
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Total Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Linear Derating Factor from T
A
= 25
O
C
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
DC Forward Current (I
F
)
Recurrent Peak Forward Current (I
F
)
Peak Forward Surge Current (I
FSM
) Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
Value
-65 to +200
175
500
3.33
300
35
100
300
400
1.0
4.0
CATHODE
BAND
MARKING
LOGO
1N
41
54
Units
O
C
O
C
mW
mW/
O
C
O
C/W
V
mA
mA
mA
Amp
Amp
0.500
Minimum
12.70
Typ 1.000
0.200 (5.08)
0.120 (3.05)
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired
0.022 (0.558)
Diameter
0.018 (0.458)
Typ 20 mils
0.090 (2.28)
Diameter
0.060 (1.53)
Electrical Characteristics
SYM
B
V
I
R
V
F
C
T
T
RR
TA = 25
O
C unless otherwise noted
CHARACTERISTICS
Breakdown Voltage
Reverse Leakage
Forward Voltage
Capacitance
Reverse Recovery Time
MIN
35
MAX
UNITS
V
I
R
TEST CONDITIONS
=
5.0 uA
25 V
25 V, T
A
= 150
O
C
30 mA
0.0 V, f = 1.0 MHz
100
100
1.0
4.0
4.0
nA
uA
V
pF
ns
V
R
=
V
R
=
I
F
=
V
R
=
I
F
= 10 mA V
R
= 6.0 V
I
RR
= 1.0 mA, R
L
= 100 ohms
Revision A - September 21, 1998
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4154T50A相似产品对比

1N4154T50A
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35
包装说明 GLASS, DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Code compli
ECCN代码 EAR99
其他特性 FAST SWITCHES
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最大输出电流 0.1 A
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W
认证状态 Not Qualified
最大反向恢复时间 0.004 µs
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
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