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IDT71T75602S166BGG8

产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
产品类别存储   
文件大小392KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT71T75602S166BGG8概述

ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

IDT71T75602S166BGG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流2.38 V
最大压摆率0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1
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