电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1.5KE15E3/4F

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小170KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1.5KE15E3/4F概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

1.5KE15E3/4F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
制造商包装代码CASE 1.5KE
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压16.5 V
最小击穿电压13.5 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12.1 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1.5KE6.8 thru 1.5KE540A, 1N6267 thru 1N6303
Vishay Semiconductors
TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
Major Ratings and Characteristics
V
(BR)
Unidirectional
V
(BR)
Bidirectional
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
(Unidirectional only)
T
j
max.
6.8 V to 540 V
6.8 v to 440 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
Case Style 1.5KE
Features
• Glass passivated chip junction
• Available in Unidrectional and Bidirectional
• 1500 W peak pulse power capability with a
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):
0.01 %
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C
• AEC-Q101 qualified
Mechanical Data
Case:
Molded plastic body over passivated junction
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-
able per J-STD-002B and MIL-STD-750, Method
2026
Polarity:
For unidirectional types the color band
denotes cathode end, no marking on bidirectional
types
Typical Applications
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units
for consumer, computer, industrial, automotive, and
Telecommunication
Devices for bidirection Applications
For bidirectional types, use C or CA suffix for types
(e.g. 1.5KE440CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Peak pulse power dissipation with a 10/1000
µs
waveform
(1) (Fig. 1)
Peak pulse current with a 10/1000
µs
waveform
(1)
Steady state power dissipation lead lengths 0.375“ (9.5 mm)
(2)
,
T
L
= 75 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave unidirectional
only
(3)
Maximum instantaneous forward voltage at 100 A for unidirectional only
(4)
Operating junction and storage temperature range
V
F
T
J
, T
STG
3.5/5.0
- 55 to + 175
V
°C
Symbol
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
Limit
1500
See Next Table
6.5
200
Unit
W
A
W
A
Notes:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25 °C per Fig. 2
(2) Mounted on copper pad area of 1.6 x 1.6" (40 x 40 mm) per Fig. 5
(3) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum
(4) V
F
= 3.5 V for 1.5KE220(A) & below; V
F
= 5.0 V for 1.5KE250(A) & above
Document Number 88301
03-Mar-05
www.vishay.com
1
DM642开发板VMD642_net例程解惑
学习DM642,开发板给的例程里有VMD642_net这么一个例程,我直接用网线把DM642网口与电脑网口连接,然后把程序烧写进板子用网络助手查看,没有数据传递!!:Cry:板子资料太少了,例程也没介绍, ......
六安飞雨 DSP 与 ARM 处理器
UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
Qorvo近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见 ......
兰博 能源基础设施
请教各位大大一个问题,如何在过滤驱动中判断出文件的拷贝动作?
小弟初学文件过滤驱动开发,看了一些书籍资料,好像 IRP_MJ 中对文件操作的功能号只有read和write, 那我如何能判断出文件操作的几个动作呢,比如拷贝,删除,移动等等。 万分 ......
zhang_shuai2005 嵌入式系统
什么是全局中断
什么是全局中断? 不是很理解...
duzhiming stm32/stm8
柔性线路板(FPC)压合辅材测试方法
  4.2 矽铝箔辅材测试: 4.2.1外观检验:表面平滑光洁、无龟裂、裂纹、颗粒、气泡、针孔及外来杂质 。 4.2.2厚度:千分尺测量,取五点进行测量, 读取数据并记录。 4.2.3尺寸:直尺或卷尺测 ......
探路者 PCB设计
BK3432 DC-DC外围参考原理图 BK3432 DC-DC外围参考原理图
BK3432 DC-DC外围参考原理图BK3432 DC-DC外围参考原理图 此内容由EEWORLD论坛网友无线大师原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 ...
无线大师 综合技术交流

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1320  2574  185  1786  1217  24  1  27  4  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved