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HL8340MG

产品描述GaAlAs Laser Diode
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小90KB,共4页
制造商Opnext(Oclaro)
官网地址https://www.oclaro.com
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HL8340MG概述

GaAlAs Laser Diode

HL8340MG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Opnext(Oclaro)
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
功能数量1
最高工作温度60 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率50 mW
峰值波长852 nm
形状ROUND
尺寸1.6 mm
最大阈值电流40 mA

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HL8340MG
GaAlAs Laser Diode
Description
The HL8340MG is 0.85
µm
band GaAlAs laser diode with a multi-quantum well(MQW) structure. It is suitable as a
light source for sensor applications and various other types of optical equipment.
ODE-208-067A (Z)
Rev.1
May 24, 2007
Features
Infrared light output:
λp
= 852 nm Typ
Optical output power: 50 mW (CW)
Low operating current: 75 mA Typ
Low operating voltage: 1.9 V Typ
Built-in monitor photodiode
Single longitudinal mode
Package Type
HL8340MG: MG
Internal Circuit
1
3
PD
LD
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Optical output power
LD reverse voltage
PD reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
P
O
V
R(LD)
V
R(PD)
Topr
Tstg
Ratings
50
2
30
–10 to +60
–40 to +85
Unit
mW
V
V
°C
°C
Optical and Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C)
Item
Threshold current
Slope efficiency
Operating current
Operating voltage
Beam divergence
parallel to the junction
Beam divergence
perpendicular to the junction
Lasing wavelength
Monitor current
Symbol
Ith
ηs
I
OP
V
OP
θ//
θ⊥
λp
I
S
Min
0.7
6
18
842
Typ
20
0.9
75
1.9
9
22
852
0.25
Max
40
100
2.0
12
26
862
Unit
mA
mW/mA
mA
V
°
°
nm
mA
Test Conditions
30 (mW)/(I
(40mW)
– I
(10mW)
)
P
O
= 50 mW
P
O
= 50 mW
P
O
= 50 mW, FWHM
P
O
= 50 mW, FWHM
P
O
= 50 mW
P
O
= 50 mW, V
R(PD)
= 5 V
Rev.1 May 24, 2007 page 1 of 4

HL8340MG相似产品对比

HL8340MG HL8341MG HL8342MG HL8343MG
描述 GaAlAs Laser Diode GaAlAs Laser Diode GaAlAs Laser Diode GaAlAs Laser Diode
厂商名称 Opnext(Oclaro) Opnext(Oclaro) Opnext(Oclaro) Opnext(Oclaro)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
功能数量 1 1 1 1
最高工作温度 60 °C 60 °C 60 °C 60 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 50 mW 50 mW 50 mW 50 mW
峰值波长 852 nm 852 nm 852 nm 852 nm
形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
尺寸 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大阈值电流 40 mA 40 mA 40 mA 40 mA
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