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5962-9315706HXX

产品描述SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小117KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9315706HXX概述

SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

5962-9315706HXX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明DIP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
其他特性BATTERY BACK-UP OPERATION
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度42.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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