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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> HUM3003
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HUM3003

产品描述High Voltage, High Power Pin Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小203KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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HUM3003概述

High Voltage, High Power Pin Diode

HUM3003规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-4
包装说明MODIFIED DO-4, 1 PIN
针数1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用SWITCHING
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
最大二极管电容5 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻0.2 Ω
二极管类型PIN DIODE
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-XUPM-N1
JESD-609代码e0
少数载流子标称寿命30 µs
元件数量1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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HUM3002/3003/3004
High Voltage, High Power Pin Diode
PRODUCT PREVIEW/PRELIMINARY
DESCRIPTION
KEY FEATURES
Non-magnetic Package For MRI
Application.
High Power, High Voltage
Package (4 kV -40 kW)
Stable High Voltage Chip
Passivation.
High Current Rating.
High Surge Current Rating.
Low Rs, Low Loss, Low Distortion
Design.
APPLICATIONS/BENEFITS
MRI Applications.
High Power Antenna Switching.
Band Switching.
Industrial Heating.
WWW .
Microsemi
.C
OM
These Microsemi PIN diodes are perfect for high power switching
applications where high isolation, low loss, low distortion characteristics, and
high power handling capability are critical. These PIN diodes utilize
Microsemi’s SOGO passivation process for superior stable high voltage
operation. The package is a modified DO-4 structure for ease of mount down
with excellent thermal properties. No thin internal straps are used for
electrical connections. A surge current of 150 amperes at half sine 8.3 ms is
easily handled.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
DO-4 PIN
DIODE
Maximum Ratings @ 25ºC
(UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Parameter
Reverse Voltage
I
R
= 10µA
Average Power
Dissipation
@ Stud =50°C
RF Power Handling
Capability(CW)
@Zo = 50 OHms
Rs = 0.1 OHM
@ Stud =50°C
Non-Repetitive
Sinusoidal Surge
Current (8.3 ms)
Storage Temperature
Range
Operating Temperature
Range
Thermal resistance
Junction-to Case
Symbol
V
R
I
O
TYPE
HUM3002
2,000
50
HUM3003
3,000
50
HUM3004
4,000
50
Unit
V
W
P
RF
40
40
40
kW
I
FSM
T
STG
T
OP
R
θ
JC
150
-55°C to
+150°C
-55°C to
+125
1.5
150
-55°C to
+150°C
-55°C to
+125
1.5
150
-55°C to
+150°C
-55°C to
+125
1.5
A
°C
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Diode Resistance
Capacitance C
T
Reverse Current
Carrier Lifetime
Parallel Resistance
Forward Voltage
Symbol
R
S
C
T
I
R
τ
R
P
Vf
Conditions
F= 10 MHz, If = 250 mA
F= 1 MHz, 100 V
V
R
@ Rated Voltage
If
= 10 mA / 100 V
F= 1 MHz, 100 V
If = 0.5 A
Min
Typ.
0.1
4.3
Max
0.2
5.0
10
Units
Ω
pF
µA
µs
kΩ
V
20
5
30
0.75
Microsemi

HUM3003相似产品对比

HUM3003 HUM3002 HUM3004
描述 High Voltage, High Power Pin Diode High Voltage, High Power Pin Diode High Voltage, High Power Pin Diode
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DO-4 DO-4 DO-4
包装说明 MODIFIED DO-4, 1 PIN MODIFIED DO-4, 1 PIN MODIFIED DO-4, 1 PIN
针数 1 1 1
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大二极管电容 5 pF 5 pF 5 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大二极管正向电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 0.2 Ω
二极管类型 PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE
JEDEC-95代码 DO-4 DO-4 DO-4
JESD-30 代码 O-XUPM-N1 O-XUPM-N1 O-XUPM-N1
JESD-609代码 e0 e0 e0
少数载流子标称寿命 30 µs 30 µs 30 µs
元件数量 1 1 1
端子数量 1 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
技术 POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1

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