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APTM100AM90FG

产品描述TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,HALF BRIDGE,1KV V(BR)DSS,78A I(D)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小548KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTM100AM90FG概述

TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,HALF BRIDGE,1KV V(BR)DSS,78A I(D)

晶体管,场效应管 POWER 模块,半 桥,1KV V(BR)DSS,78A I(D)

APTM100AM90FG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)78 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量7
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)312 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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