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APTGT150DA120G

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, SP6, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小426KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGT150DA120G概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, SP6, 5 PIN

APTGT150DA120G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid2139165422
包装说明ROHS COMPLIANT, SP6, 5 PIN
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)220 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X5
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)610 ns
标称接通时间 (ton)335 ns
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