Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, SP6, 5 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 2139165422 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, SP6, 5 PIN |
针数 | 5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 220 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 610 ns |
标称接通时间 (ton) | 335 ns |
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