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APTGT75TDU120PG: 产品描述Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小523KB，共6页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数	21
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	100 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	3 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-XUFM-X21
JESD-609代码	e1
湿度敏感等级	1
元件数量	6
端子数量	21
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	610 ns
标称接通时间 (ton)	335 ns

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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