APTGT100H170G,APTGT100H170G pdf中文资料,APTGT100H170G引脚图,APTGT100H170G电路-Datasheet-电子工程世界

APTGT100H170G: 产品描述Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小429KB，共6页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

APTGT100H170G在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	APTGT100H170G	-	-	点击查看	点击购买

Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN
针数	12
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	150 A
集电极-发射极最大电压	1700 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X12
JESD-609代码	e1
湿度敏感等级	1
元件数量	4
端子数量	12
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	560 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	1100 ns
标称接通时间 (ton)	450 ns
VCEsat-Max	2.4 V
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190