Bi-Directional FIFO, 1KX9, 80ns, Asynchronous, MOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | PARITY GENERATOR/CHECKER; BYPASS XCVR; PORTA/PORTB: 512 X 18/1024 X 9 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz |
| 周期时间 | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 9216 bit |
| 内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP48,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.03 A |
| 最大压摆率 | 0.22 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
