K4D26323QG-GC25,K4D26323QG-GC25 pdf中文资料,K4D26323QG-GC25引脚图,K4D26323QG-GC25电路-Datasheet-电子工程世界

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K4D26323QG-GC25: 产品描述128Mbit GDDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小316KB，共18页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4D26323QG-GC25概述

128Mbit GDDR SDRAM

K4D26323QG-GC25规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e0
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.053 A
最大压摆率	0.49 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

K4D26323QG-GC25相似产品对比

	K4D26323QG-GC25	K4D26323QG	K4D26323QG-GC2A	K4D26323QG-GC33
描述	128Mbit GDDR SDRAM	128Mbit GDDR SDRAM	128Mbit GDDR SDRAM	128Mbit GDDR SDRAM
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	FBGA, BGA144,12X12,32	-	FBGA, BGA144,12X12,32	FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow
最长访问时间	0.45 ns	-	0.55 ns	0.55 ns
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	-	350 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	-	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
内存密度	134217728 bi	-	134217728 bi	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	-	32	32
端子数量	144	-	144	144
字数	4194304 words	-	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	-	4000000	4000000
最高工作温度	65 °C	-	65 °C	65 °C
组织	4MX32	-	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	-	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32	-	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE	-	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	-	4096	4096
连续突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.053 A	-	0.048 A	0.042 A
最大压摆率	0.49 mA	-	0.445 mA	0.425 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM

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