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LTC1100CN8

产品描述INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小134KB,共8页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
相似器件已查找到4个与LTC1100CN8功能相似器件
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LTC1100CN8概述

INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8

仪表放大器, 10 uV 最大补偿, 0.018 MHz 波段 宽度, PDIP8

LTC1100CN8规格参数

参数名称属性值
Brand NameLinear Technology
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数8
制造商包装代码N
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.000135 µA
标称带宽 (3dB)0.018 MHz
最小共模抑制比90 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.000065 µA
最大输入失调电压10 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
负供电电压上限-9 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
最大非线性0.006%
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.937 mm
最大压摆率4.5 mA
供电电压上限9 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益100
最小电压增益10
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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LTC1100
Precision, Zero-Drift
Instrumentation Amplifier
FEATURES
DESCRIPTIO
Offset Voltage: 10µV Max
Offset Voltage Drift: 100nV/°C Max
Bias Current: 65pA Max
Offset Current: 65pA Max
Gain Nonlinearity: 20ppm Max
Gain Error:
±0.075%
Max
CMRR: 90dB
0.1Hz to 10Hz Noise: 1.9µV
P-P
Single 5V Supply Operation
8-Pin MiniDIP
The LTC
®
1100 is a high precision instrumentation amplifier
using zero-drift techniques to achieve outstanding DC
performance. The input DC offset is typically 1µV while
the DC offset drift is typically 5nV/°C; a very low bias
current of 65pA is also achieved.
The LTC1100 is self-contained; that is, it achieves a differ-
ential gain of 100 without any external gain setting resistor
or trim pot. The gain linearity is 20ppm and the gain drift is
4ppm/°C. The LTC1100 operates from a single 5V supply
up to
±8V.
The output typically swings 300mV from its
power supply rails with a 10k load.
An optional external capacitor can be added from Pin 7 to
Pin 8 to tailor the device’s 18kHz bandwidth and to
eliminate any unwanted noise pickup.
The LTC1100 is also offered in a 16-pin surface mount
package with selectable gains of 10 or 100.
The LTC1100 is manufactured using Linear Technology’s
enhanced LTCMOS
TM
silicon gate process.
, LTC and LT are registered trademarks of Linear Technology Corporation.
LTCMOS is a trademark of Linear Technology Corporation
APPLICATIO S
Thermocouple Amplifiers
Strain Gauge Amplifiers
Differential to Single-Ended Converters
TYPICAL APPLICATIO
Single 5V Supply, DC Instrumentation Amplifier
1
2
–V
IN
3
4
LTC1100
8
7
6
5
0.01µF
V
IN
V
OUT
V
+
= 5V
0.1µF
V
OUT
= 100 [V
IN
– (–V
IN
)]
LTC1100 • TA01
U
1100fc
U
U
1

LTC1100CN8相似产品对比

LTC1100CN8 LTC1100 LTC1100_03 LTC1100CJ8 LTC1100MJ8 LTC1100AMJ8 LTC1100CSW
描述 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER 仪表放大器 仪表放大器 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最小共模抑制比 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 100 dB 90 dB
最大输入失调电压 10 µV 10 mV 10 mV 10 µV 10 µV 10 µV 10 µV
最大非线性 0.006% 0.0060 % 0.0060 % 0.006% 0.0065% 0.004% 0.006%
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 16
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY MILITARY INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最大电压增益 100 100 100 100 100 100 100
最小电压增益 10 10 10 10 10 10 10
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP - - DIP DIP DIP SOIC
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 - - DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP16,.4
针数 8 - - 8 8 8 16
Reach Compliance Code _compli - - unknow unknow unknow _compli
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000135 µA - - 0.000135 µA 0.00045 µA 0.0003 µA 0.000135 µA
标称带宽 (3dB) 0.018 MHz - - 0.018 MHz 0.018 MHz 0.018 MHz 0.018 MHz
最大输入失调电流 (IIO) 0.000065 µA - - 0.000065 µA 0.00012 µA 0.00008 µA 0.000065 µA
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - - R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDSO-G16
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0 e0
负供电电压上限 -9 V - - -9 V -9 V -9 V -9 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V - - -5 V -5 V -5 V -5 V
最高工作温度 85 °C - - 85 °C 125 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -55 °C -55 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - - DIP DIP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 - - DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP16,.4
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235
电源 +-5 V - - +-5 V +-5 V +-5 V +-5 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.937 mm - - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 2.642 mm
最大压摆率 4.5 mA - - 4.5 mA 4.6 mA 4.2 mA 4.5 mA
供电电压上限 9 V - - 9 V 9 V 9 V 9 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - - NO NO NO YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 2.54 mm - - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 20
宽度 7.62 mm - - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.5 mm

与LTC1100CN8功能相似器件

器件名 厂商 描述
FT1100CJ8 Force Technologies Ltd Instrumentation Amplifier, 1 Func, 10uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
FT1100CN8 Force Technologies Ltd Instrumentation Amplifier, 1 Func, 10uV Offset-Max, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
LTC1100CJ8 Linear ( ADI ) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
LTC1100ACN8 Linear ( ADI ) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 10 uV OFFSET-MAX, 0.018 MHz BAND WIDTH, PDIP8
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