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IN4933

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共2页
制造商ETC
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IN4933概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

IN4933规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETIC SEALED PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.2000 us
最大重复峰值反向电压50 V
最大平均正向电流1 A

IN4933相似产品对比

IN4933 IN4934 IN4936 IN4935
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1
加工封装描述 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃
结构 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料
二极管类型 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管
反向恢复时间最大 0.2000 us 0.2000 us 0.2000 us 0.2000 us
最大重复峰值反向电压 50 V 50 V 50 V 50 V
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A
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