W005M_06,W005M_06 pdf中文资料,W005M_06引脚图,W005M

Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> W005M_06

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W005M_06: 产品描述1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小49KB，共4页; 制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.; 官网地址https://www.wontop.com/

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W005M_06概述

1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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WTE

POWER SEMICONDUCTORS

W005M – W10M

1.5A SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

+ ~ ~ -

Recognized File # E157705

Mechanical Data

Case: WOB, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 1.1 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

WOB

Dim

Min

Max

8.60

9.10

5.0

5.50

27.9

—

25.4

—

0.71

0.81

4.60

5.60

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

(Note 1)

= 50°C

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

W005M W01M

W02M

W04M

W06M

W08M

W10M

Unit

100

200

140

400

280

1.5

600

420

800

560

1000

700

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Forward Voltage (per element)

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

= 1.5A

= 25°C

= 100°C

FSM

STG

1.0

5.0

500

-55 to +125

-55 to +150

µA

°C

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

W005M – W10M

1 of 4

W005M_06相似产品对比

	W005M_06	W01M	W02M	W10M	W08M	W06M	W04M
描述	1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	GENESIC SEMICONDUCTOR - W02M - BRIDGE RECTIFIER; 1PH; 1.5A; 200V; DOB	BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,1KV V(RRM),BR-1W	1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	GENESIC SEMICONDUCTOR - W04M - BRIDGE RECTIFIER; 1PH; 1.5A; 400V; DOB
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.	Won-Top Electronics Co., Ltd.
包装说明	-	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4
针数	-	4	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	unknown	unknown	not_compliant	unknow
其他特性	-	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压	-	100 V	200 V	1000 V	800 V	600 V	400 V
配置	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	-	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	-	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	-	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
元件数量	-	4	4	4	4	4	4
相数	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	-	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	-	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	-	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	-	100 V	200 V	1000 V	800 V	600 V	400 V
表面贴装	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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