Triple 3-Input Positive-AND Gates 16-PDIP -40 to 85
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | CENTER PIN VCC AND GND |
| 系列 | AC |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| 长度 | 19.305 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3/5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 9.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 6.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 74AC11011N | 74AC11011D | |
|---|---|---|
| 描述 | Triple 3-Input Positive-AND Gates 16-PDIP -40 to 85 | Triple 3-Input Positive-AND Gates 16-SOIC -40 to 85 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | PLASTIC, SO-16 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 其他特性 | CENTER PIN VCC AND GND | CENTER PIN VCC AND GND |
| 系列 | AC | AC |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDSO-G16 |
| 长度 | 19.305 mm | 9.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A |
| 功能数量 | 3 | 3 |
| 输入次数 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3/5 V | 3.3/5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 9.1 ns | 9.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 6.9 ns | 6.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 1.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
