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8200902JX

产品描述IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小484KB,共24页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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8200902JX概述

IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, Programmable ROM

8200902JX规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T24
长度32.0675 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

8200902JX相似产品对比

8200902JX
描述 IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, Programmable ROM
厂商名称 NXP(恩智浦)
包装说明 DIP,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最长访问时间 55 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T24
长度 32.0675 mm
内存密度 65536 bit
内存集成电路类型 OTP ROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 24
字数 8192 words
字数代码 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 8KX8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
座面最大高度 5.715 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
宽度 15.24 mm
Base Number Matches 1
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