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SB8150CT

产品描述8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB8150CT概述

8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB8150CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB8150CT
Pb
8.0A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
!
Schottky Barrier Chip
Guard Ring for Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
C
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
G
Plastic Material has UL Flammability
Classification 94V-O

D
F
P
I
H
L
B
TO-220
Dim
Min
Max
13.90
15.90
A
9.80
10.70
B
2.54
3.43
C
3.56
4.56
D
12.70
14.73
E
0.51
0.96
F
3.55 Ø
4.09 Ø
G
5.75
6.85
H
4.16
5.00
I
2.03
2.92
J
0.30
0.65
K
1.14
1.40
L
2.29
2.79
P
All Dimensions in mm
A
PIN1
2
3
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: TO-220, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 2.24 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
E
PIN 1 -
+
Case, PIN 2
J
K
PIN 3 -
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 95°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SB8150CT
Unit
150
105
8.0
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 4.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
STG
150
0.92
0.5
50
700
-65 to +150
A
V
mA
pF
°C
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SB8150CT
1 of 4
© 2006 Won-Top Electronics
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