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SB16150DC-T3

产品描述16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB16150DC-T3概述

16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

SB16150DC-T3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码D2PAK
包装说明PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB16150DC
Pb
16A HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
!
!
Schottky Barrier Chip
C
J
Guard Ring Die Construction for
A
Transient Protection
!
Low Forward Voltage Drop
!
Low Power Loss, High Efficiency
B
!
High Surge Current Capability
D
E
PIN 1
2
3
!
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
G
Protection Applications
H

K
P
P
D
2
PAK/TO-263
Dim
Min
Max
9.80
10.40
A
9.60
10.60
B
4.40
4.80
C
8.50
9.10
D
2.80
E
1.00
1.40
G
0.90
H
1.20
1.40
J
0.30
0.70
K
2.35
2.75
P
All Dimensions in mm
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: D
2
PAK/TO-263, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 1.7 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
PIN 1 -
PIN 3 -
+
Case, PIN 2
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 90°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
SB16150DC
Unit
150
105
16
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
JC
T
j
, T
STG
150
0.92
0.5
100
700
2.0
-65 to +150
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
SB16150DC
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© 2006 Won-Top Electronics
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