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SB1030DC-T3

产品描述10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB1030DC-T3概述

10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

SB1030DC-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码D2PAK
包装说明PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB1020DC – SB10100DC
Pb
10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
!
!
Schottky Barrier Chip
C
J
Guard Ring Die Construction for
A
Transient Protection
!
Low Forward Voltage Drop
!
Low Power Loss, High Efficiency
B
!
High Surge Current Capability
D
E
PIN 1
2
3
!
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
G
Protection Applications
H

K
P
P
D
2
PAK/TO-263
Dim
Min
Max
9.80
10.40
A
9.60
10.60
B
4.40
4.80
C
8.50
9.10
D
2.80
E
1.00
1.40
G
0.90
H
1.20
1.40
J
0.30
0.70
K
2.35
2.75
P
All Dimensions in mm
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: D
2
PAK/TO-263, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 1.7 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
PIN 1 -
PIN 3 -
+
Case, PIN 2
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
SB
1020DC 1030DC 1040DC 1045DC 1050DC 1060DC 1080DC
10100DC
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current @T
C
= 100°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 5.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
Unit
20
14
30
21
40
28
45
32
10
50
35
60
42
80
56
100
70
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
JC
T
j
, T
STG
0.55
150
0.75
0.5
50
600
3.0
-65 to +150
0.85
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
SB1020DC – SB10100DC
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© 2006 Won-Top Electronics
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