IRHNA7064,IRHNA7064 pdf中文资料,IRHNA7064引脚图,IRHNA7064电路-Datasheet-电子工程世界

IRHNA7064: 产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小117KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHNA7064概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)

IRHNA7064规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	300 W
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRHNA7064相似产品对比

	IRHNA7064	IRHNA4064	IRHNA3064	IRHNB7064	IRHNA8064
描述	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
Reach Compliance Code	compli	unknow	compli	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω	0.018 Ω	0.018 Ω	0.018 Ω	0.018 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A	300 A	300 A	356 A	300 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	-
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	-	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3	3	3	-	3
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A	-	75 A	75 A	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	-
最大功率耗散 (Abs)	300 W	-	300 W	300 W	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	-
Base Number Matches	1	1	-	1	-

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