电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SED110LB30

产品描述110 AMP 30 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SED110LB30概述

110 AMP 30 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER

SED110LB30规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
包装说明R-XXSO-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.4 V
JESD-30 代码R-XXSO-N2
最大非重复峰值正向电流1000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流110 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
PRELIMINARY
SOLID STATE DEVICES, INC.
14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
SED110LB30
SED110LE30
110 AMP
30 VOLTS
SCHOTTKY
RECTIFIER
SEDPACK 3
Designer's Data Sheet
FEATURES:
•
•
•
•
•
•
•
Low Reverse Leakage
Low Forward Voltage Drop
Hermetically Sealed Power Surface Mount Package
Guard Ring for Overvoltage Protection
Eutectic Die Attach
175
o
C Operating Temperature
TX, TXV and Space Level Screening Available
Maximum Ratings
Peak Repetitive Reverse and DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(Resistive Load, 60Hz, Sine Wave, T
C
= 100
o
C
Peak Surge Current
(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow
junction to reach equilibrium between pulses, T
A
= 25
o
C)
Operating and Storage Temperature
Maximum Thermal Resistance
Junction to Case
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
Io
I
FSM
Top & Tstg
R
2JC
VALUE
30
110
1000
-55 TO +175
0.3
UNITS
Volts
Amps
Amps
o
C
o
C/W
NOTE:
All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: SH0015A

SED110LB30相似产品对比

SED110LB30 SED110LE30
描述 110 AMP 30 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER 110 AMP 30 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
厂商名称 SSDI SSDI
包装说明 R-XXSO-N2 HERMETIC SEALED PACKAGE-1
针数 2 1
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 HIGH POWER HIGH POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.4 V 0.4 V
JESD-30 代码 R-XXSO-N2 R-XSSO-G1
最大非重复峰值正向电流 1000 A 1000 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 1
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 110 A 110 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD GULL WING
端子位置 UNSPECIFIED SINGLE

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1251  989  2862  870  2804  23  41  20  39  6 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved