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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N6847U
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JANTXV2N6847U

产品描述2.1 A, 200 V, 1.725 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB，共7页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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JANTXV2N6847U概述

2.1 A, 200 V, 1.725 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2.1 A, 200 V, 1.725 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管

JANTXV2N6847U规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码LCC
包装说明CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）180 mJ
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)2.1 A
最大漏源导通电阻1.725 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CQCC-N15
元件数量1
端子数量15
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)8.4 A
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/563
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 93990
IRFE9220
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED
V
HEXFET TRANSISTORS
SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N6847U
JANTXV2N6847U
[REF:MIL-PRF-19500/563]
200V, P-CHANNEL
Product Summary
Part Number
IRFE9220
B
VDSS
-200V
R
DS(on)
1.5Ω
I
D
-2.1A
The leadless chip carrier (LCC) package represents the
logical next step in the continual evolution of surface
mount technology. Desinged to be a close replacement
for the TO-39 package, the LCC will give designers the
extra flexibility they need to increase circuit board den-
sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-
age to meet the specific needs of the power market by
increasing the size of the bottom source pad, thereby
enhancing the thermal and electrical performance. The
lid of the package is grounded to the source to reduce
RF interference.
LCC-18
Features:
!
!
!
!
!
!
!
!
Surface Mount
Small Footprint
Alternative to TO-39 Package
Hermetically Sealed
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Energy Rating
Simple Drive Requirements
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = -10V, TC = 25°C
ID @ VGS = -10V, TC = 100°C
I DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
➀
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
➁
Avalanche Current
➀
Repetitive Avalanche Energy
➀
Peak Diode Recovery dv/dt
➂
Operating Junction
Storage Temperature Range
Pckg. Mounting Surface Temp.
Weight
For footnotes refer to the last page
-2.1
-1.5
-8.4
14
0.11
±20
180
-
-
-5.0
-55 to 150
o
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
C
g
300 (for 5 S)
0.42(typical)
www.irf.com
1
10/25/00

JANTXV2N6847U相似产品对比

JANTXV2N6847U JANTX2N6847U
描述 2.1 A, 200 V, 1.725 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2.1 A, 200 V, 1.725 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅 含铅 含铅
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 LCC LCC
包装说明 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数 18 18
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 180 mJ 180 mJ
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 2.1 A 2.1 A
最大漏源导通电阻 1.725 Ω 1.725 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15
元件数量 1 1
端子数量 15 15
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8.4 A 8.4 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/563 MIL-19500/563
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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