34 A, 100 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
34 A, 100 V, 0.081 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-254AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-254AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 34 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 34 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.081 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 136 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/592 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 300 ns |
| 最大开启时间（吨） | 225 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| JANTX2N7224 | 2N7224 | JANTXV2N7224 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 34 A, 100 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | POWER, FET | 34 A, 100 V, 0.081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | - | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-254AA | - | TO-254AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | - | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 150 mJ | - | 150 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 34 A | - | 34 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.081 Ω | - | 0.081 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA | - | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | - | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL | - | METAL |
| 封装形状 | SQUARE | - | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 136 A | - | 136 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/592 | - | MIL-19500/592 |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | - | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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