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IRHE57Z30

产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRHE57Z30概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)

IRHE57Z30规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码LCC
包装说明CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数18
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)156 mJ
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CQCC-N15
元件数量1
端子数量15
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHE57Z30相似产品对比

IRHE57Z30 IRHE53Z30 IRHE54Z30 JANSR2N7494U5 JANSH2N7494U5 JANSG2N7494U5 JANSF2N7494U5 IRHE58Z30
描述 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
零件包装代码 LCC LCC LCC LCC LCC LCC LCC LCC
包装说明 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数 18 18 18 18 18 18 18 18
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compli unknow compli compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 156 mJ 156 mJ 156 mJ 156 mJ 156 mJ 156 mJ 156 mJ 156 mJ
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 15 15 15 15 15 15 15 15
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) - International Rectifier ( Infineon )
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - - - 150 °C
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