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7140LA35PDGB8

产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48
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文件大小155KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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7140LA35PDGB8概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48

7140LA35PDGB8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T48
JESD-609代码e3
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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