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FR1B-T3

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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FR1B-T3概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA

FR1B-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码DO-214AA
包装说明PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
FR1A – FR1K
Pb
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE
Features
!
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
B
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Power Loss
A
Fast Recovery Time
F
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
C
H
G

E
SMB/DO-214AA
Dim
Min
Max
3.30
3.94
A
4.06
4.70
B
1.91
2.11
C
0.152
0.305
D
5.08
5.59
E
2.13
2.44
F
0.051
0.203
G
0.76
1.27
H
All Dimensions in mm
D
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.093 grams (approx.)
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 90°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
FR1A
@T
A
=25°C unless otherwise specified
FR1B
FR1D
FR1G
FR1J
FR1K
Unit
50
35
100
70
200
140
1.0
400
280
600
420
800
560
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
JL
T
j,
T
STG
150
30
1.30
5.0
300
250
10
30
-50 to +150
500
A
V
µA
nS
pF
°C/W
°C
Note: 1. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See figure 5.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
land area.
FR1A – FR1K
1 of 4
© 2006 Won-Top Electronics
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