PT7M8202
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LDO Regulator
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Features
Output Current 300mA or more
Ultra-Low-Noise for RF Application:
30µVRMS @1.2V
Quick Start-Up (Typically 50µs)
Dropout Voltage: 270mV@300mA for 3.3V
Wide Operating Voltage Range: 1.8V to 5.5V
Output Voltage Range: 1.2V to 3.3V(100 mV Step)
Standby Current: 0.1µA
High Ripple Rejection: 80dB@1kHz
Output Current-Limit Protection
Thermal Shutdown Protection
Operating Temperature Range: -40℃~+85℃
Low ESR Capacitor compatible: Ceramic capacitor
Lead Free and Green Package: SOT23-5L, SC70-5L,
TDFN-6L 1.8×2
Description
The PT7M8202 series are highly accurate, low dropout
voltage regulators with low noise, high ripple rejection
and low current consumption for portable RF and
wireless applications.
The PT7M8202 includes a reference voltage source, an
error amplifier, a driver transistor, a current limit
protection，a thermal protection and an internal phase
compensator.
A noise bypass pin is available for further reduction of
output noise.
The output voltage for the regulator is set by factory
trimming within a range of 1.2V to 3.3V in 100mV step
includes 2.85V. The PT7M8202 series are stable with
low ESR ceramic capacitors.
Pin Configuration
VIN
GND
EN
1
2
3
4
BP
5
VOUT
Applications
•
•
•
•
•
•
Mobile phones (PDC, GSM, CDMA, IMT2000 etc.)
Cordless phones and radio communication
Digital still cameras and video cameras
PDAs
MP3 players
Portable devices
SC70-5L/SOT23-5L (Top View)
VIN
NC
VOUT
1
2
3
6
5
4
EN
GND
BP
TDFN-6L 1.8x2 (Top View)
Pin Description
Pin No. for
SOT23-5L/SC70-5L
1
2
3
4
5
-
TDFN-6L
1
5
6
4
3
2
I/O
I
P
I
-
O
-
Name
VIN
GND
EN
BP
VOUT
NC
Descriptions
Regulator Supply Input. Supply voltage can range from
1.8V to 5.5V. Bypass with a 1µF ceramic capacitor
(X5R/X7R) to GND.
Ground.
ON/OFF Control of Regulator.
Reference Noise Bypass.
Output of Regulator. Bypass with a 1µF ceramic
capacitor (X5R/X7R) to GND.
No Connection.
ECN No: 10-0004
1
PT0338S-1
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PT7M8202
LDO Regulator
Maximum Ratings
Storage Temperature………………………………….. -55℃ to +125℃
Ambient Temperature with Power Applied......................-40℃ to +85℃
Input Voltage………………………………………….……..……+6.0V
Output Voltage …………………………………….....-0.3 to V
CC
+0.3V
EN pin Voltage…………………………………………………… +6.0V
DC Input/Output Current …………………………………………700mA
Power Dissipation………………………………………...SOT23/400mW
SC70/300mW
TDFN/600mW
Note:
Stresses greater than those listed under MAXIMUM
RATINGS may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sec-
tions of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
Recommended Operating Conditions
Symbol
V
CC
T
A
Parameter
Operating Voltage
Operating temperature
Min.
1.8
-40
Typ.
-
25
Max.
5.5
85
Unit
V
°C
Electrical Characteristics
(T
A
=25℃, Bypass capacitor=22nF)
Parameter
Output Voltage
Maximum Output
Current
Dropout Voltage
Supply Current
Standby Current
Line Regulation
Load Regulation
Input Voltage
Output Voltage
Temperature
Characteristic
Ripple Rejection
Current Limit
Thermal Shutdown
Thermal Shutdown
Hysteresis
EN”High”Voltage
EN”Low”Voltage
EN”High”Current
EN”Low” Current
Output Discharge
Resistance
Output Noise
Voltage
Note:
Symbol
V
OUT(E) *2
I
OUTMAX
Vdif
*3
I
SS
I
SB
∆V
OUT
/
∆V
IN
*V
OUT
∆V
OUT2
V
IN
∆V
OUT
/
∆Topr*V
OUT
PSRR
I
LIM
T
SD
∆T
SD
V
ENH
V
ENL
I
ENH
I
ENL
Rdis
e
ON
Conditions
V
IN
=V
OUT(S) *1
+1.0V, I
OUT
=30mA
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
1.7V≤V
OUT(S)
≤1.8V
1.9V≤V
OUT(S)
≤2.3V
I
OUT
= 300mA
2.4V≤V
OUT(S)
≤2.7V
2.8V≤V
OUT(S)
≤3.3V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, no load
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
V
OUT(S)
+1.0V≤V
IN
≤5.5V
I
OUT
=30 mA
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V,
1.0mA≤I
OUT
≤300mA
-
I
OUT
=30 mA
-40℃≤Topr≤85℃
V
IN
=[V
OUT(S)
+1.0]V
DC
+1Vp-p AC
V
OUT
=1.5V, I
OUT
=30mA, f=1kHz
V
OUT
= V
OUT(S)
*0.9
Min.
V
OUT(S)
*0.98
300
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
-
Typ.
V
OUT(S)
-
0.39
0.33
0.30
0.27
Max.
V
OUT(S)
*1.02
-
0.51
0.43
0.39
0.35
100
1
0.2
0.6
Unit
V
mA
V
µA
µA
%/V
%
V
ppm/℃
dB
mA
℃
70
0.1
0.05
-
+/-100
80
450
170
40
-
-
-
-
200
30
5.5
-
-
-
-
-
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, EN=OFF
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
V
OUT
=1.2V，10Hz to 100kHz, I
OUT
=30mA,
C
OUT
=1µF
1.5
-
-0.10
-0.10
-
-
-
0.3
0.10
0.10
-
-
V
µA
Ω
µV
RMS
*1: V
OUT(S)
=Specified output voltage.
*2: V
OUT(E)
=Effective output voltage.
(I.e. the output voltage when "V
OUT(S)
+1.0V" is provided at the VIN pin while maintaining a certain I
OUT
value).
*3: Vdif={V
IN1(*5)
-V
OUT1(*4)
}.
*4: V
OUT1
=A voltage equal to 98% of the output voltage whenever an amply stabilized I
OUT
{V
OUT(S)
+ 1.0V} is input.
*5: V
IN1
=The input voltage when V
OUT1
appears as input voltage is gradually decreased.
*6: Unless otherwise stated, V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
ECN No: 10-0004
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PT7M8202
LDO Regulator
Typical Performance and Characteristics
1.
Output Voltage vs. Output Current
PT7M8202 (1.2V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
3.0
2.5
1.0
Vo (V)
Vo (V)
Vin=2.5V
0.5
Vin=3.5V
Vin=5.5V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
100
200
300
Io (mA)
400
500
600
0
100
200
300
400
500
600
700
Io (mA)
Vin=4.5V
Vin=5.5V
PT7M8202 (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
0.0
2.
Output Voltage vs. Input Voltage
PT7M8202 (1.2V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.6
4.0
PT7M8202 (3.3V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.2
Vo (V)
Vo (V)
0mA
0.8
30mA
100mA
0.4
3.0
0mA
30mA
1.0
100mA
2.0
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
ECN No: 10-0004
3
PT0338S-1
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PT7M8202
LDO Regulator
3.
Supply Current vs. Input Voltage
PT7M8202 (1.2V)
PT7M8202 (3.3V)
100
80
Iss (µA)
Iss (µA)
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
4.Dropout Voltage vs. Output Current
PT7M8202 (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
350
300
250
Vdif (mV)
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
Io (mA)
250
300
85
℃
25
℃
-40
℃
5. Line Transient Response
PT7M8202 (3.3V)
Cin=Cout=1µF(Ceramics), Iout=100mA
Time (50µs/Div)
ECN No: 10-0004
4
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PT7M8202
LDO Regulator
6. Output Voltage vs. Ambient Temperature
PT7M8202 (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.40
1.32
Vin=2.2V
Vo(V)
Vo (V)
1.24
1.16
1.08
1.00
-50
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
3.40
PT7M8202 (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
3.30
3.20
Vin=4.3V
3.10
3.00
-50
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
7. Supply Current vs. Ambient Temperature
PT7M8202 (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
75
80
PT7M8202 (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
70
Iss (µA)
Iss (µA)
75
65
Vin=2.2V
60
70
Vin=4.3V
65
55
-50
60
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
-50
-25
0
25
50
T emperature (
℃
)
75
100
ECN No: 10-0004
5
PT0338S-1
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综合技术交流
京公网安备 11010802033920号
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