IDT71024S20Y8,IDT71024S20Y8 pdf中文资料,IDT71024S20Y8引脚图,IDT71024S20Y8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT71024S20Y8: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小225KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71024S20Y8概述

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0
长度	20.955 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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