Application Specific SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最长访问时间 | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 68 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.03 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.3 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
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