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7005S55JB

产品描述Application Specific SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68
产品类别存储    存储   
文件大小172KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7005S55JB概述

Application Specific SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68

7005S55JB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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