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IDT7052L35GM

产品描述Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108
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文件大小112KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7052L35GM概述

Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108

IDT7052L35GM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XPGA-P108
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度8
端口数量4
端子数量108
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码PGA
封装等效代码PGA108,12X12
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0018 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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