EEPROM, 2KX8, 100ns, Parallel, CMOS, CQCC32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最长访问时间 | 100 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 32 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.0009 A |
最大压摆率 | 0.125 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | NO |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
Base Number Matches | 1 |
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