电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT70V24L55PFGI

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小182KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IDT70V24L55PFGI概述

Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V24L55PFGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HIGH-SPEED 3.3V
4K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
x
x
x
IDT70V24S/L
x
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)
– Industrial: 20/25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V24S
Active: 400mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V24L
Active: 380mW (typ.)
Standby: 660
µ
W (typ.)
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70V24 easily expands data bus width to 32 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
BUSY
and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in 84-pin PGA, 84-pin PLCC and 100-pin TQFP
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
R/
W
L
UB
L
R/
W
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I/O
8L
-I/O
15L
I/O
Control
I/O
0L
-I/O
7L
I/O
Control
I/O
8R
-I/O
15R
I/O
0R
-I/O
7R
BUSY
(1,2)
BUSY
R
(1,2)
Address
Decoder
12
L
A
11L
A
0L
MEMORY
ARRAY
12
Address
Decoder
A
11R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
(2)
INT
L
NOTES:
1. (MASTER):
BUSY
is output; (SLAVE):
BUSY
is input.
2.
BUSY
outputs and
INT
outputs are non-tri-stated push-pull.
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
R
OE
R
R/
W
R
SEM
R
INT
R
(2)
2911 drw 01
M/
S
MARCH 2000
1
DSC-2911/8
©2000 Integrated Device Technology, Inc.
笑话一则
村里大爷问:什么叫城镇化建设? 村委会的会计回答说:政府花8万块钱将你家的2亩地征收,然后400万卖给房地产开发商,再然后你儿子拿征地所得的8万块钱和他两口子攒下的8万块去交了首付,并当20 ......
白丁 聊聊、笑笑、闹闹
求数字频率计的群
大神们,有没有做数字频率计的群啊...
能不能带我飞 电子竞赛
求一个阿莫电子论坛的号
有东西需要下载 借用一下 麻烦愿意借用的朋友私信我 或者发到我的邮箱 444368257@qq.com 万分感谢~...
444368257 聊聊、笑笑、闹闹
有关MSP430F4xxx小RAM堆栈溢出问题
大学同学在线问我他最近搞项目开发时遇到的一个问题,跟他聊了聊。他最近在搞水表的计量开发,采用的平台是MSP430F4250(PS:很早之前去潍坊考察过一个做表的企业,发现搞表计量的大多 ......
Aguilera 微控制器 MCU
【FAQ】 TPS63020:相位裕度改善方法
Q:TPS63020的相位裕度只能达到30度左右,对此我感到困惑。 请告诉我如何提高相位裕度。 另外,请告诉我需要多少相位裕度。 A:一般来讲,对于除了已实现电感器、电容器和电阻器分 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
虚数怎么会事?
容抗=jwc j是虚数,怎么突然冒出个虚数啊j怎么回事?...
cityfree 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 107  1718  1850  2720  101  43  47  32  51  22 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved