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SFF150Z

产品描述30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SFF150Z概述

30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF150Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
零件包装代码TO-254Z
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SFF150Z相似产品对比

SFF150Z SFF150M
描述 30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET 30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET
厂商名称 SSDI SSDI
零件包装代码 TO-254Z TO-254
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.055 Ω 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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