74F968QCQR概述

1MX1, DRAM CONTROLLER, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

74F968QCQR规格参数

	74F968QCQR	54F968QMQB
描述	1MX1, DRAM CONTROLLER, PQCC52, PLASTIC, LCC-52	1MX1, DRAM CONTROLLER, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
包装说明	QCCJ,	QCCJ,
Reach Compliance Code	unknown	unknown
地址总线宽度	22	22
边界扫描	NO	NO
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52
长度	19.05 mm	19.05 mm
低功率模式	NO	NO
内存组织	1M X 1	1M X 1
区块数量	4	4
端子数量	52	52
最高工作温度	70 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm
最大压摆率	300 mA	300 mA
最大供电电压	5.5 V	5.5 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V
标称供电电压	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY
端子形式	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD
宽度	19.05 mm	19.05 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	MEMORY CONTROLLER, DRAM	MEMORY CONTROLLER, DRAM
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W