Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RB751G40-G

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RB751G40-G: 产品描述SMD Schottky Barrier Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小48KB，共2页; 制造商Comchip Technology; 官网地址http://www.comchiptech.com/; 标准

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RB751G40-G概述

SMD Schottky Barrier Diode

RB751G40-G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Comchip Technology
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99

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SMD Schottky Barrier Diode

RB751G40-G (RoHS Device)

Reverse Voltage: 30 Volts

Forward Current: 30 mA

Features:

Small Surface Mounting Type

High Reliability

Low Reverse Current and Low Forward Voltage

SOD-723

Mechanical Data:

Case: Molded plastic SOD-723

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method

2026.1.

Polarity: Indicated by cathode band.

Mounting position: Any.

Marking: F

Symbol

Inches

Min.

Max.

0.021

0.026

0.020

0.023

0.010

0.014

0.003

0.006

0.022

0.026

0.035

0.043

0.051

0.059

0.008 REF

0.001

0.003

7º REF

Millimeters

Min.

Max.

0.525

0.650

0.515

0.580

0.250

0.350

0.080

0.150

0.550

0.650

1.100

0.900

1.500

1.300

0.200 REF

0.010

0.070

7º REF

Maximum Ratings (at T

=25ºC unless otherwise specified)

Parameter

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

FSM

stg

Limits

200

125

-40~+125

Unit

ºC

Electrical Ratings (at T

=25ºC unless otherwise specified)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Capacitance between

terminals

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.37

0.5

Unit

μA

Conditions

=1mA

=30V

=1V, f=1MHz

“-G” suffix designated RoHS compliant version

Comchip Technology Corporation

Tel:510-657-8671

Fax: 510-657-8921

www.comchiptech.com

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