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RA352GP: 产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小79KB，共2页; 制造商MCC; 官网地址http://www.mccsemi.com

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RA352GP概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

3 A, 硅, 整流二极管

RA352GP规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	RA, 2 PIN
状态	DISCONTINUED
包装形状	圆
包装尺寸	DISK BUTTON
表面贴装	Yes
端子形式	NO 铅
端子涂层	锡铅
端子位置	END
包装材料	UNSPECIFIED
结构	单一的
二极管元件材料	硅
二极管类型	整流二极管
应用	FAST RECOVERY
相数	1
反向恢复时间最大	0.1500 us
最大平均正向电流	3 A

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MCC

Micro Commercial Components

omponents

20736 Marilla Street Chatsworth

!"#

$ % !"#

RA351GP

THRU

RA357GP

35Amp Glass

Passivated Rectifier

50 to 1000 Volts

Features

•

Glass Passivated Chip

Low Leakage, Low cost

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

For Automotive Applications

•

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +175°C

Storage Temperature: -55°C to +175°C

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

RA351GP

RA352GP

RA353GP

RA354GP

RA355GP

RA356GP

RA357GP

---

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

F(AV)

35A

= 150°C

Current

Peak Forward Surge

FSM

500A 8.3ms, half sine

Current

Maximum

1.0V

= 35A;

Instantaneous

Forward Voltage

= 25°C*

Maximum DC

Reverse Current At

5.0

µA

= 25°C

Rated DC Blocking

150µA

1 00 °C

Voltage

Typical Junction

100pF

Measured at

Capacitance

1.0MHz, V

=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300

µsec,

Duty cycle 2%

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.380

.165

.215

.234

----

MIN

9.70

4.20

5.50

6.00

---

DIM

MAX

.410

.185

.220

.250

MAX

10.40

4.70

5.70

6.40

NOTE

Revision: 4

www.mccsemi.com

2004/04/02

RA352GP相似产品对比

	RA352GP	RA354GP	RA351GP	RA353GP	RA357GP	RA355GP	RA356GP
描述	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
加工封装描述	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN	RA, 2 PIN
状态	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
包装形状	圆	圆	圆	圆	圆	圆	圆
包装尺寸	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	NO 铅	NO 铅	NO 铅	NO 铅	NO 铅	NO 铅	NO 铅
端子涂层	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅
端子位置	END	END	END	END	END	END	END
包装材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
结构	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的
二极管元件材料	硅	硅	硅	硅	硅	硅	硅
二极管类型	整流二极管	整流二极管	整流二极管	整流二极管	整流二极管	整流二极管	整流二极管
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
相数	1	1	1	1	1	1	1
反向恢复时间最大	0.1500 us	0.1500 us	0.1500 us	0.1500 us	0.1500 us	0.1500 us	0.1500 us
最大平均正向电流	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A

RA352GP

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