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2SC1623-L7

产品描述100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小98KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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2SC1623-L7概述

100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 50 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

2SC1623-L7规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压50 V
加工封装描述MINI MOLD PACKAGE-3
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层TIN LEAD
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管元件材料SILICON
最大环境功耗0.2000 W
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数300
额定交叉频率250 MHz

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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2SC1623-L6
2SC1623-L7
Features
High DC Current Gain: h
FE
=600
Max.(V
CE
=6.0V, I
C
=1.0mA)
High voltage: V
CEO
=50V
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
UL Flammability
NPN Silicon
Epitaxial Transistors
Unit
V
V
V
mA
mW
O
C
O
C
F
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
50
60
5.0
100
200
-55 to +150
-55 to +150
SOT-23
A
D
C
C
B
B
E
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector Cutoff Current
(V
CB
=60Vdc,I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain*
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=6.0Vdc)
Collector Saturation Voltage*
(I
C
=100mAdc, I
B
=10mAdc)
Base Saturation Voltage*
(I
C
=100mAdc,I
B
=10mAdc)
Base Emitter Voltage*
(V
CE
=6.0Vdc, I
C
=1.0mAdc)
Collector Capacitance
(V
CB
=6.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
Gain Bandwidth product
(V
CE
=6.0Vdc, I
E
=10mAdc)
Min
---
---
Typ
---
---
Max
0.1
0.1
Units
G
H
J
OFF CHARACTERISTICS
I
CBO
I
EBO
uAdc
K
uAdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
DIMENSIONS
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
ON CHARACTERISTICS
h
F
V
CE(sat)
V
BE(SAT)
V
BE
C
ob
f
T
200
---
---
0.55
---
---
---
0.15
0.86
0.62
3.0
250
600
0.3
1.0
0.65
---
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
pF
MHz
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
L6
h
FE
200-400
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%
L7
400-600
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
5
1 of 2
2007/06/04

2SC1623-L7相似产品对比

2SC1623-L7 2SC1623-L6
描述 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3
晶体管极性 NPN NPN
最大集电极电流 0.1000 A 0.1000 A
最大集电极发射极电压 50 V 50 V
加工封装描述 MINI MOLD PACKAGE-3 MINI MOLD PACKAGE-3
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大环境功耗 0.2000 W 0.2000 W
晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数 300 200
额定交叉频率 250 MHz 250 MHz
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