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2SB1197-Q

产品描述PNP Silicon Epitaxial Transistors
文件大小68KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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2SB1197-Q概述

PNP Silicon Epitaxial Transistors

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SB1197
2SB1197-P
2SB1197-Q
2SB1197-R
PNP Silicon
Epitaxial Transistors
Features
Small Package
Mounting:any position
ROHS Compliant
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
UL Flammability
SOT-23
Maximum Ratings @ T
a
= 25
(unless otherwise noted)
A
Symbol
I
C
P
D
T
J
T
STG
Parameter
Collector Current
Total Device Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Value
-0.8
0.2
150
-55 to +150
Unit
A
W
D
C
C
B
B
F
E
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
V(
BR
)CEO
V(
BR
)CBO
V(
BR
)EBO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc,I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-50uAdc,I
E
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
E
=-50uAdc,I
C
=0)
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
=-20Vdc, I
E
=0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
=-4.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-100mAdc, V
CE
=-3.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-500mAdc, I
B
=-50mAdc)
Transition Frequency
(V
CE
=-5Vdc,I
C
=-50mAdc,f=100MHZ)
P
82-180
AHP
Q
120-270
AHQ
Min
-32
-40
-5.0
Max
Units
G
H
J
V
K
V
V
-0.5
-0.5
µAdc
uAdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
DIMENSIONS
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
I
CBO
I
EBO
ON CHARACTERISTICS
h
FE
V
CE(sat)
82
390
-0.5
Vdc
MHZ
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
f
T
Rank
Range
Marking
50
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
CLASSIFICATION OF
h
FE
R
180-390
AHR
.037
.950
.037
.950
Revision:
2
www.mccsemi.com
1 of 2
2007/03/01

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