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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962-8866205NA
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5962-8866205NA

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小238KB，共13页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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5962-8866205NA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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5962-8866205NA概述

Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

5962-8866205NA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, CERDIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.0205 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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fax id: 1030
CY7C199
32K x 8 Static RAM
Features
• High speed
— 10 ns
• Fast t
DOE
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— 467 mW (max, 12 ns “L” version)
• Low standby power
— 0.275 mW (max, “L” version)
• 2V data retention (“L” version only)
• Easy memory expansion with CE and OE features
• TTL-compatible inputs and outputs
• Automatic power-down when deselected
provided by an active LOW chip enable (CE) and active LOW
output enable (OE) and three-state drivers. This device has an
automatic power-down feature, reducing the power consump-
tion by 81% when deselected. The CY7C199 is in the standard
300-mil-wide DIP, SOJ, and LCC packages.
An active LOW write enable signal (WE) controls the writ-
ing/reading operation of the memory. When CE and WE inputs
are both LOW, data on the eight data input/output pins (I/O
0
through I/O
7
) is written into the memory location addressed by
the address present on the address pins (A
0
through A
14
).
Reading the device is accomplished by selecting the device
and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE
remains inactive or HIGH. Under these conditions, the con-
tents of the location addressed by the information on address
pins are present on the eight data input/output pins.
The input/output pins remain in a high-impedance state unless
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable
(WE) is HIGH. A die coat is used to improve alpha immunity.
Functional Description
The CY7C199 is a high-performance CMOS static RAM orga-
nized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory expansion is
Logic Block Diagram
Pin Configurations
DIP / SOJ / SOIC
Top View
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I/O
0
I/O
1
I/O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
Top View
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I/O
0
I/O
1
C199–2
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
10
20 CE
11
19 I/O
7
12
18 I/O
6
1314151617
C199–3
I/O
0
INPUT BUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I/O
1
ROW DECODER
I/O
2
SENSE AMPS
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
I/O
3
I/O
4
I/O
5
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
COLUMN
DECODER
POWER
DOWN
I/O
6
I/O
7
TSOP I
Top View
(not to scale)
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C199–1
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
GND
I/O
2
I/O
1
I/O
0
A
14
A
13
A
12
C199–4
Selection Guide
7C199-8
Maximum Access Time (ns)
Maximum Operating
Current (mA)
L
Maximum CMOS
Standby Current (mA)
L
8
120
0.5
7C199-10
10
110
90
0.5
0.05
7C199-12
12
160
90
10
0.05
7C199-15
15
155
90
10
0.05
7C199-20
20
150
90
10
0.05
7C199-25
25
150
80
10
0.05
7C199-35
35
140
70
10
0.05
7C199-45
45
140
10
Shaded area contains preliminary information.
Cypress Semiconductor Corporation
•
3901 North First Street
•
San Jose
• CA 95134 •
408-943-2600
February 1988 – Revised April 22, 1998

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描述 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP QLCC QLCC QLCC QLCC
包装说明 0.300 INCH, CERDIP-28 0.300 INCH, CERDIP-28 0.300 INCH, CERDIP-28 0.300 INCH, CERDIP-28 CERAMIC, LCC-28 CERAMIC, LCC-28 CERAMIC, LCC-28 CERAMIC, LCC-28
针数 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 35 ns 15 ns 45 ns 25 ns 35 ns 25 ns 45 ns 20 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 37.0205 mm 37.0205 mm 37.0205 mm 37.0205 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 262144 bit 262144 bi 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP QCCN QCCN QCCN QCCN
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 LCC28,.35X.55 LCC28,.35X.55 LCC28,.35X.55 LCC28,.35X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 1.905 mm 1.905 mm 1.905 mm 1.905 mm
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.15 mA 0.18 mA 0.15 mA 0.16 mA 0.15 mA 0.16 mA 0.15 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 8.89 mm 8.89 mm 8.89 mm 8.89 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1

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